ICT原理先容：

一.隔离 ( Guarding )原理

隔离为ICT量测很主要的一种应用手艺，乃是将待测零件相毗连的零件给予隔离，使待测零件的量测不受影响，如下图所示，应用运算放大器设计之电压随耦器，使输出电压 ( VG )与其输入电压 ( VA )相等，及运算放大器之两输入端间虚地 ( Virtual Ground )的原理，使得与待测零件相连的零件之两头同电位，而不会爆发分流来影响待测零件的量测，犹如是已将将待测零件相毗连的零件给予隔离。

经由隔离之实验后，流经R1的电流几近零，不致影响R之量测。

由于VG=VA，因此I3=0

以是R1=V/I1

 

隔离 ( Guarding )基来源理图

 

 

定电流丈量法

如下图所示，为被使用丈量大电阻的丈量法，乃是应用欧姆定律 ( Ohm’s Law )：R = V / I，提供定电流源至待测电阻，再由其两头所量测之电压值，来盘算待测电阻之阻值。

 

定电流/电压丈量法

如下图所示，为常被使用之电阻的丈量法，乃是应用反相放大器 ( Inverting Amplifier )原理：Vo = -Vi * Rf / R，盘算出待测电阻Rdut= -Vi * Rf / Vi。

二.电容器的测试原理
 

如上图所示应用运算放大器 ( OPA )之反相放大原理：Vo = -V * R / Xc，其中Xc =1/ ( 2pfC )乃电容所爆发的电抗，f为交流定电压的频率，再以角加速率『w = 2pf』来代表，则可由公式：C ＝ -Vo / ( V * w * R )，来盘算出电容之值

 定电流丈量 ( MODE C )

当电容值为10uF以上时，盘算时机自动设定DC电容量测法。此法是用DC定电流来使待测电容充电，然后由充电的时间可算出电容值

如上图所示由于在充电电压与其充电时间成线性关系，故可由其斜率，来盘算出待测电容之值。

三.电感器的测试原理



如上图所示应用运算放大器 ( OPA )之反相放大原理：Vo = -V * R / XL，其中XL = ( 2pfL )乃电感所爆发的电抗，f为交流定电压的频率，再以角加速率『w = 2pf』来代表，则可由公式：L ＝- V * R  / (w * V0 )，来盘算出电感之值。

四.通俗二极管的测试要领 (MODE D)

二极管接纳如下图所示之顺向电压丈量法，来区分二极管的优劣，正常的硅 ( Silicon )二极管之顺向电压约为0.7V，而锗 ( Germanium )二极管之顺向电压约为0.3V。

五.晶体管的丈量原理 ( 三端点 ) ( MODE TR )

晶体管的丈量要领如下图从晶体管的基极 ( Base )送脉波电压，由于晶体管事情于饱和状态 ( Saturation Status )时集极与射极之间所丈量的电压 ( Vce )会小于0.2V以下，因此可藉之来区分晶体管的优劣。

 

六.短/开路的测试原理 ( Open/Short Test )

学习短路表 ( Learning Short Pin Group Table )

短／开路 (  Open/Short ) 的测试数据可由学习一个良品的电路板而得。当学习时，盘算时机丈量恣意两个测试点 ( Test point )之间的阻值，然后爆发一个短路表 ( Short Pin Group Table )，学习时，恣意两点间的阻值小于20Ω(初使值)即被判断两点间为短路，不然为开路。

短/开路测试

短／开路测试是凭证上述短路表的资料来做测试
；先做短路测试 ( Short Test )再做断路测试 ( Open Test )，说明如下 ：

开路测试是测试在统一短路群 ( Short Pin Group )里的每一测试点间 ( Test point )是否有断路征象，判别开路的基准阻值是80Ω(初使值)
；也就是说恣意二点间的阻值若是大于80Ω(初使值)，则被判断为开路过失 ( Open Fail )。

 

短路测试是测试恣意一短路群的测试点和其它短路群的测试点之间，是否有短路征象，判别短路的基准是5Ω(初使值)
；也就是说，若是恣意两点间的阻值是小于5Ω(初使值)，则被判断为短路过失 ( Short Fail )。